Toshiba анонсировала новую флэш-память для мобильных телефонов

Сегодня Toshiba анонсировала новую флэш-память для мобильных телефонов, сделанную по технологии NAND, которая позволит оснастить трубки дополнительными функциями и приложениями. При этом затраты на данный компонент уменьшатся. По информации специалистов компании, NAND память почти в два раза дешевле применяемой сейчас NOR памяти. Кроме того, на одной и той же площади кристалла можно разместить больший, чем в случае использования NOR, объем NAND памяти. Toshiba подготовила специальную программу под названием «Chip Enable Don't Care NAND» специально для разработчиков мобильных трубок с расширенным набором функций.

Эта программа позволит упростить подсистему памяти, заменяя сложные комбинации SRAM, PSRAM, NOR и NAND видов памяти на один чип.

Для справки: в простых телефонах с базовым набором функций используется от 4 до 8 Мегабит низковольтной SRAM памяти для хранения телефонных номеров и 16Мб NOR флэш-памяти для собственно прошивки с программой работы, тогда как в современных телефонах с такими приложениями, как интернет-браузер, обмен текстовыми сообщениями, игры и работа с цифровой камерой используется уже от 8 до 16 мегабит SRAM для данных, от 32 до 128 мегабит DRAM или Pseudo SRAM для видео или музыкальных данных, 128-256 мегабит высокоскоростной NOR флэш-памяти для рабочей прошивки и 128-256 мегабит или даже более для хранения приложений и прочих данных.

Также Toshiba продемонстрировала сборки новых микросхем в BGA (ball grid array) корпусах размером всего 9 x 12 x 1.6 мм, состоящие из пяти и шести микросхем, которые представляют собой различные по объему комбинации NOR, NAND, Static RAM (SRAM) и Pseudo SRAM (PSRAM) памяти, предназначенные для встраивания в современные мобильные телефоны и телефоны грядущего поколения 3G, что существенно упрощает конструкцию и процесс разработки таких аппаратов.