версия для кпк > |
Коммуникаторы, смартфоны, КПК, GPS-навигация |
Новости : Каталог КПК : Аксессуары для КПК : Программы для КПК : Форум : Статьи, обзоры | ||
Где купить : Цены : Техподдержка : Для прессы : Контакты : Вакансии : Ссылки : Пропажи | поиск: | |
Новости
Реклама
|
НОВОСТИ HPC.ru
Samsung представляет ферроэлектрическую память для мобильных устройств[понедельник, 21 октября 2002 г, 11:20]Samsung Electronics представила новый чип ферроэлектрической памяти (FRAM) для мобильных устройств. Новая микросхема имеет емкость 4 Мбит. Основой для нового чипа стала 32-мегабитная микросхема FRAM, созданная для применения в широком спектре электронных устройств. Ферроэлектрическая память сочетает в себе такие качества, как возможность быстрого чтения-записи информации, характерную для динамической оперативной памяти (DRAM), и энергонезависимость, присущую флэш-памяти. Это делает FRAM чрезвычайно привлекательным решением для мобильных устройств, однако меньшая плотность записи информации вряд ли позволит ферроэлектрической памяти полноценно заменить DRAM и SRAM. Рабочее напряжение нового чипа составляет 3 В, время доступа к информации - 80 нс. В микросхеме используется архитектура с применением однотранзисторных ячеек памяти. Предметом особой гордости Samsung является площадь, занимаемая каждой ячейкой памяти – она составляет всего 0,94 мкм2. Таким образом, размер ячейки FRAM на 75% меньше ячейки традиционной статической памяти (SRAM). Именно ей на смену и должна прийти новинка от Samsung.
Источник: КомпьюЛента
|
Реклама
|