Компания Samsung представила сегодня первый в мире модуль энернонезависимой памяти NAND Flash, несущий 4 Гбит на одном чипе. Эта микросхема, предназначенная для использования в качестве ПЗУ в любых видах мобильных устройств, производится по 70-нм технологии, что позволило добиться значительного улучшения её характеристик: время доступа к данным сократилось на 50% по сравнению с нынешними чипами, производящимися по 90-нм технологии. Появление нового запоминающего устройства такого большого объема продолжает многолетнюю тенденцию, в соответствии с которой максимальный объем ПЗУ удваивается каждые 12 месяцев (такие темпы роста наблюдаются с 1999 года). К сожалению, пока неизвестно в каких серийных моделях будет применяться новая сверхвместительная память.