На смену широко использующейся сегодня flash-памяти фирма Motorola готовит две свои новые разработки - SONOS и Q-flash.

Как считают в компании, технология памяти с "плавающими воротами" транзистора (floating gate) в скором времени исчерпает свои ресурсы из-за невозможности дальнейшего уменьшения размеров затвора.

Первый тип новой памяти, SONOS, имеет в своей основе композитный материал, который представляет из себя многослойный "пирог" схемы кремний-оксид-нитрид-оксид-кремний (название расшифровывается как Semiconductor Oxide Nitride Oxide Semiconductor, т.е. полупроводник-диэлектрик-нитрид-диэлектрик-полупроводник). Ячейки памяти находятся в нитридном слое под воротами транзистора из поликристаллического кремния. SONOS дешевле в производстве и требует меньшего напряжения питания для стирания и записи информации - 6 В против 10 В.

Поставку образцов SONOS, произведенных по 0,18-микронному процессу, Motorola собирается начать в конце 2003 года. Переход на технологию 0,9 мкм планируется в начале 2004 года.

Вторая новинка, Q-flash, использует в качестве ячеек памяти кремниевые нанокристаллы диаметром около 5 нм. Q-flash отличается весьма продолжительной сохранностью информации и имеет еще меньшие размеры и уровень энергопотребления, чем SONOS. Протипы чипов Q-flash появятся не ранее 2005 года.