В понедельник IBM представит новую конструкцию транзистора для микросхем беспроводной связи, которая обещает обеспечить достаточную мощность для создания сетей будущего, способных изменить подход людей к использованию беспроводных сетей на работе и дома.

Новая конструкция транзистора, основанная на кремний-германиевой (SiGe) технологии, обеспечит трехкратное повышение быстродействия. Отделение микроэлектроники IBM подробно расскажет о деталях этой конструкции на международной конференции International Electron Devices Meeting (IEDM), которая состоится в декабре в Сан-Франциско.

Новый транзистор IBM с рабочей частотой 350 ГГц позволит обеспечить тактовую частоту коммуникационных чипов примерно в 150 ГГц и скорость передачи данных в сотни гигабит в секунду. Этого достаточно, чтобы передавать, например, высококачественное видео от телевизионного адаптера на экран высокого разрешения. По тактовой частоте такие чипы будут в четыре-пять раз быстрее самых быстродействующих микросхем, применяемых сегодня в беспроводных локальных сетях и в домашних сетях, а энергии они будут потреблять примерно на 90% меньше.

Технология SiGe предусматривает включение атомов германия в разные места кристаллической решетки кремния. Это облегчает прохождение потока электронов через транзистор, что можно использовать для повышения быстродействия или экономии энергии. В остальном производственный процесс не отличается от процесса изготовления обычных кремниевых микросхем, что при массовом производстве делает его относительно недорогим.

По словам представителей IBM, чипы с новым 350-ГГц транзистором начнут появляться к 2005-2006 году. В июне 2001 года IBM представила транзистор с рабочей частотой 210 ГГц, а чипы на его основе должны появиться на рынке в конце будущего или в начале 2004 года.