Японская корпорация Hitachi представила первые образцы модулей Flash-памяти емкостью 1 Гбит. Основным предметом гордости разработчиков является тот факт, что им удалось успешно преодолеть барьер скорости обмена данными между памятью и компьютером. Если в памяти старого типа, созданной по технологии NAND, скорость чтения и записи информации составляла 2 Мбит/сек, то в новых модулях этот показатель равен 10 Мбит/сек.

Представленная память разработана с учетом технологии AG-AND и использует одну ячейку для хранения двух битов данных. Кроме этого, все ячейки памяти созданы по 0,13-микронному процессу, что позволило существенно увеличить быстродействие при работе, а также уменьшить размеры модуля примерно на 20% по сравнению с 512-Мбит модулями.

Основное применение новая память найдет в цифровых камерах, КПК и других мобильных устройствах, где важен не только малый размер устройства, но и его большая емкость.