Специалисты компании Intel уверены в том, что рынок ощущает потребность в КПК с 500 Мбайт памяти. Сегодняшние КПК в среднем оснащены от 2 до 64 Мбайт флэш-памяти.

11 июля производитель чипов рассказал о поиске новой технологии, которая стала бы "чашей Грааля" для памяти мобильных устройств - позволила бы встраивать в них сотни мегабайт дешевой памяти.

В понимании Intel, память следующего поколения должна сочетать в себе высокую плотность (большую емкость для хранения данных), высокое быстродействие и способность легко взаимодействовать с другими типами. Новая память должна быть не стираемой, как жесткий диск ПК, то есть данные, в ней хранящиеся, не должны пропадать при выключении устройства.

На сегодняшний день Intel выделил три многообещающих направления:

- "пластиковую" память, или полимерно-ферроэлектрическое ОЗУ (PFRAM);

- Ovonics Unified Memory (OUM), в которой используются те же материалы, что и в CD-RW;

- магнитное ОЗУ (MRAM).

Разработка новых технологий производства памяти жизненно важно для индустрии мобильных устройств, которая постоянно стремится расширить функциональность КПК и мобильных телефонов, добавив, к примеру, возможность приема видеосигнала. Но такие приложения требуют большого объема памяти. Кроме того, такие исследования важны для финансовых результатов самой Intel. Несмотря на то, что доходы от продаж флэш-памяти серьезно сократились - из-за экономического спада в IT-секторе, особенно из-за снижения спроса на сотовые телефоны, - они все же составляют значительную часть прибыли компании. Нащупав "хит" следующего витка развития технологии памяти, Intel получит новые источники дохода.

Из трех новых технологий, предлагаемых Intel, наиболее перспективной специалисты считают OUM в силу ее дешевизны и совместимости с другими видами памяти. MRAM и PFRAM обеспечивают более высокое быстродействие при чтении/записи, но обходятся дороже. Компания планирует выпустить первые продукты нового поколения на базе технологии OUM уже в конце 2003 года.

В OUM используется халькогенид, тот же материал, что и в перезаписываемых CD-RW rewriteable. OUM может работать в качестве главной системной памяти и вместе с SRAM и не требует специального ПО. MRAM быстрее осуществляет чтение/запись э менее, чем за 10 нс, и выдерживает почти неограниченное количество таких циклов. Но по размеру MRAM превосходит OUM, что делает эту память в три-четыре раза дороже.

Intel разрабатывает и технологию PFRAM, в которой используются полимерные слои, нанесенные на основу КМОП - стандартный материал для изготовления микросхем. PFRAM, по мнению специалистов, позволит создать память высокой плотности по несложной технологии, не требующей существенно изменять существующий производственный процесс. Все это делает PFRAM выгодной технологией - в 8 раз дешевле существующей КМОП. Однако PFRAM, к сожалению, допускает конечное число циклов перезаписи, из-за чего ее, в основном, будут применять для размещения данных, как сейчас используют ПЗУ.