Компании IBM и Mitsubishi Electric Corporation заключили соглашение о сотрудничестве в разработке интегрированных радиочастотных чипсетов (RFIC) для мобильных телефонов 3-го поколения.

В ходе работ будут использованы разработанные Mitsubishi Electric электронные схемы, а само производство осуществит IBM c использованием ее кремний-германиевой (SiGe) технологии изготовления чипов для телекоммуникаций. В новых SiGe-чипсетах будут интегрированы цепи приема и передачи сигналов, что позволит сократить число чипов, используемых в мобильных телефонах 3-го поколения. Кроме того, SiGe-технологии позволят сократить энергопотребление, увеличивая тем самым время работы без подзарядки батарей.

Новые чипсеты будут производить на заводе IBM в Берлингтоне (США), а их массовые поставки Mitsubishi Electric, которая будет использовать чипсеты в производимых на ее заводах мобильных телефонах, начнутся в четвертом квартале 2001 г.