Ученые из американских университетов Дрекселя, Пенсильвании и Гарварда cообщают о создании технологии, которая позволит в сотни и тысячи раз увеличить емкость носителей информации на базе флэш-памяти. По предварительным подсчетам, плотность записи в них может составлять около 12,8 терабайт на 1 кубический сантиметр.

Технология позволяет стабилизировать поведение ферроэлектрических (cегнетоэлектрических) материалов на наноуровне. Эти материалы обладают собственным дипольным моментом, который можно изменять внешним воздействием электричества. Однако, из-за его нестабильности использовать их как ячейки для памяти было невозможно. На этот раз ученые окружили ферроэлектрические нанотрубки (толщиной менее, чем в 10 атомов) молекулами гидроксила (OH) и карбоксила (COOH), в результате чего их поведение стабилизировалось.

Возможно, созданные по новой технологии флэш-микросхемы не только заменят собой жесткие магнитные диски, но и найдут применение в оперативной памяти.