Компания Samsung Electronics Co., Ltd., один из лидеров полупроводниковой промышленности, объявила о создании первого в индустрии NAND флэш-чипа объемом 8 гигабит, изготовленного по технологическому процессу 60 нм.

Разработанный Samsung 60 нм-процесс позволяет создавать кристаллы толщиной в две тысячных человеческого волоса и позволяет примерно на 30 процентов уменьшить размер кристалла по сравнению с 70 нм-процессом, разработанным в прошлом году. Ключевым моментом при создании микросхем с такой плотностью размещения компонентов является трехмерная структура транзисторов и особая технология изоляции компонентов друг от друга, позволяющая свести к минимуму взаимные наводки. Использование стандартных технологических процессов позволило уменьшить стоимость производства на 50 процентов.

Новая 8-гигабитная NAND флэш-память позволит выпускать носители объемом до 16Гб на одной карте памяти. Это до 16 часов видое DVD-качества или 4,000 MP3-файлов длительностью по 5 минут.

Согласно результатам маркетинговых исседований, рынок микросхем флэш-памяти, работающей по технологии NAND, удваивается каждый год. Ожидается, что в 2004 году продажи микросхем типа NAND достигнут уровня $7.2 миллиарда и $9.9 миллиардов в 2005 году. Это существенно опережает показатель для микросхем флэш-памяти типа NOR, который в год увеличивается всего на 3 процента.

Бизнес по производству флэш-памяти Samsung также развивается усиленными темпами. В этом году Samsung надеется удвоить продажи NAND-чипов и захватить 65 процентов мирового рынка микросхем памяти.