Магнитная память ускорит загрузку мобильных ПК

Компании Infineon Technologies и IBM сообщили о новом успехе в разработке технологии магнитной оперативной памяти (MRAM). Исследователям удалось добиться рекордной на нынешний день степени плотности записи, а общий объем памяти микросхемы достиг 16 Мбит. Этот успех позволяет надеяться, что в ближайшие год-два магнитная память, не зависящая от внешних источников питания, станет главным претендентом на роль универсального модуля памяти в смартфонах, ноутбуках и других мобильных устройствах.

Напомним, что магнитная оперативная память (более точное название — магнито-резистивная память) использует для сохранения данных намагниченность, а не электрический заряд, как в наиболее распространенных сейчас модулях оперативной памяти компьютеров. Технология MRAM приведет к созданию компьютеров, которые будут практически моментально включаться, поскольку программное обеспечение может быть постоянно заложено в оперативной памяти.

Начало разработок MRAM было положено в конце 80-х годов, когда было обнаружено явление «гигантской магниторезистивности» в тонких пленках. MRAM-память отличается высоким быстродействием — запись первых битов происходит приблизительно в миллион раз быстрее, чем в микросхемах флэш-памяти. Разница во временах считывания информации менее разительная, но тоже существенная — в три раза быстрее, чем у модулей флэш-памяти NOR-типа, и в 1000 раз быстрее, чем у флэш-памяти NAND-типа.

Еще одно важное отличие — по сравнению с NAND-технологией, MRAM потребляет значительно меньше энергии для записи и считывания. Размер самой ячейки памяти — 1,42 квадратных микрона, устройство создано с помощью технологического процесса на основе 0,18-микронной логики. Микросхема памяти разделена на два блока по 8 Мбит, каждый из которых, в свою очередь, разделен на 64 блока по 128 Кбит — эти блоки уже являются единой сборкой, для производства которой использовалась так называемая технология 1T1MTJ (один транзистор — один магнитный туннельный переход).